پودر سیلیکون کاربید با خلوص بالا

به عنوان ماده اصلی برای زیرلایه‌های تک کریستال SiC 6 تا 12 اینچی و لایه‌های اپیتاکسیال استفاده می‌شود که در تولید دستگاه‌های قدرت مانند اینورترهای درایو اصلی برای وسایل نقلیه با انرژی جدید، اجزای RF ایستگاه پایه 5G و اینورترهای فتوولتائیک استفاده می‌شود. خواص باندگپ گسترده آن مقاومت دستگاه را در برابر دما و ولتاژ بالا افزایش می دهد و در عین حال مصرف انرژی را تا بیش از 30 درصد کاهش می دهد.

برای تولید بوته‌های سرامیکی SiC و اجزای سرامیکی مقاوم در برابر سایش-استفاده می‌شود. با استفاده از سختی و پایداری حرارتی بالا، برای کاربردهایی مانند کار با ویفرهای نیمه هادی و قطعات ساختاری با دمای{2}بالای هوافضا مناسب است و عمر مفید آن را بیش از 5 برابر در مقایسه با سرامیک های سنتی افزایش می دهد.

به عنوان یک ساینده فوق العاده سخت برای صیقل دادن دقیق زیرلایه های شیشه نوری و یاقوت کبود عمل می کند. به پوشش‌های رسانای حرارتی برای ماژول‌های اتلاف حرارت دستگاه‌های الکترونیکی تبدیل می‌شود و رسانایی حرارتی 2-3 برابر بیشتر از پوشش‌های معمولی به دست می‌آورد.

برای اصلاح مواد آند باتری لیتیوم{0} یون و پوشش صفحات دوقطبی پیل سوختی، افزایش عمر چرخه باتری و هدایت الکتریکی/حرارتی استفاده می شود. مناسب برای کاربردهای پیشرفته-در وسایل نقلیه انرژی جدید و نیروگاه های ذخیره انرژی.